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半导体材料科学中的漂移扩散模型和流体动力学模型分析
时间:2012-12-25 浏览次数:1519次 无忧论文网
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【中文题名】 半导体材料科学中的漂移扩散模型和流体动力学模型分析 【英文题名】 The Analysis of Drift-diffusion and Hydrodynamic Models for Semiconductors 【中文摘要】 在所有描述半导体的数学模型中,流体动力学模型和漂移扩散模型是应用最广泛的模型。 漂移扩散模型自上世纪五十年代初一出现,就得到了人们的广泛关注。但随着微电子技术的发展,它不能很好的解释半导体中的有些现象,流体动力学模型就应运而生了。 本论文包括两个方面。 首先,主要研究带p-n结的隔绝半导体的一维双极的标准漂移扩散模型: 证明了对一类特殊的初值,这一方程的解收敛到对应拟中性极限方程的解,即:定理2.2若(n~λ,p~λ,E~λ)是问题(Ⅰ)(Ⅱ)的古典解,假设D(x)∈C~4,D_x(x=0,1)=D_(xxx)(X=0,1)=0,且存在 【英文摘要】 The hydrodynamic and the drift-diffusion models are the most widely used models to describe semiconductor devices today. No sooner the drift-diffusion equations were set forth and formulated in the early fifties of last century than they became the most popular model for the simulation of semiconductors. With the miniaturization of semiconductors, the drift-diffusion model is brought into its limit of validity since electrons are no longer at the lattice temperature. The developments of microelectronic 【中文关键词】 半导体. 流体动力学模型. 漂移扩散模型. 拟中性极限. p-n结. 【英文关键词】 Semiconductors. Hydrodynamic model. Drift-diffusion model. Quasineutral limit. p-n junction. Abstract (Chinese) 2-4 Abstract(English) 4-7 1 Introduction 7-13 2 Quasineutral Limit of the Standard Drift-Diffusion Model for p-n Junction Semiconductors 13-22 2.1 Main Results 13-16 2.2 TheProof of the Main Results 16-22 3 The Asymptotic Behavior of Global Smooth Solutions to the Multidimensional Hydrodynamic Model for Semiconductor in the Exterior Domain 22-37 3.1 Stationary Solution 22-26 3.2 Hydrodynamic Model 26-40 References 37-40 Acknowledgement(Chinese) 40-40
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